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JK9615型晶体管直流参数测试仪是专为测试电子元器件的直流参数而设计。可测试三极管、MOS场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、
三端电压稳压器和基 准器 TL431，其良好的中文界面软件，简化了用户对 JK9615的操作和编程。测试条件和测 试参数一次快捷设定，并存入 EEPROM 中。
不需附加任何其它软件，无需操作培训,就可操 作该仪器. JK9615为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了15种最主要参 数的测试，
以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把测试 条件输入进去，并将参数存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用。
产品特点
※ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单
※ 大容量 EEPROM 存储器,储存量可多达 2000 种设置型号数.
※ 全部可编程的 DUT 恒流源和电压源.
※ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路.
※ 高压测试电流分辨率 1uA,测试电压最高可达 1500V.
※ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题.
※ 软件自校准功能.
被测器件 | 测试参数 | 测试范围 | 分辨率 | 精度 | 测试条件 |
整流二极管 三端肖特基 | 耐压(VRR) | 0-1600V | 2V | ±2% | 0-2.000mA |
导通正向压降(VF) | |0-2.000V | 2mV | ±2% | 0-2.000A | |
N型三极管 | 输入正向压降(Vbe) | |0-2.000V | 2mV | ±2% | 0-2.000A |
耐压(Bvceo) | |0-1600V | 2V | ±5% | 0-2.000mA | |
直流放大倍数(HEF) | |0-12000 | 1 | ±2% | 0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) | |
饱和导通压降(Vsat) | |0-2.000V | 2mV | ±2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) | |
P型三极管 | 输入正向压降(Vbe) | |0-2.000V | 2mV | ±2% | 0-2.000A |
耐压(Bvceo) | 0-1600V | 2V | ±5% | 0-2.000mA | |
直流放大倍数(HEF) | 0-3000 | 1 | ±2% | 100uA(Ib) 5V(Vce)固定 | |
饱和导通压降(Vsat) |
0-2.000V |
2mV |
±2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) | |
N/P型 MOSFET 场效应管 | 启动电压(VGS(th)) | 0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-2.000mA |
耐压(Bvds) | 0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2mA | |
导通内阻(Rson) |
0-9999MR |
0.1MR |
+/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) | |
导通内阻(Rson) |
10R-100R |
0.1R | +/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) | |
三端稳压IC | 输出电压(Vo) |
0-20.00V |
20mV |
+/-2% | 0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
基准IC-431 | 输出电压(Vo) | 0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-1A(Iz) |
JFET 结型场效应管 |
饱和电流(Idss) |
0-40mA |
40uA |
+/-2% | oV(VGS) 0-20V(VDS) |
饱和电流(Idss) |
40-400mA |
400uA | +/-2% | oV(VGS) 0-20V(VDS) | |
耐压(Bvds) | 0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2mA | |
夹断电压(Vgs(off)) |
0-20.00V |
0.2V | +/-5% | 0-20V(VDS) 0-2mA(ID) | |
正向跨导(gm) |
0-99mMHO |
1mMHO |
+/-5% | oV(VG S) 0-20V(VDS) | |
SCR 双向可控硅 | 导通触发电流(IGT) |
0-40.00mA |
10uA | +/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
导通触发电压(VGT) |
0-2.000V |
2mv |
+/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) | |
耐压(VDRM/VRRM) | 0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2.000mA | |
通态压降(VTM) | 0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(IT) | |
维持电流(IH) | 0-400mA | 0.2mA | +/-5% | 0-400Ma(IT) |
型号类型 | P1 | T1 | P2 | T2 | P3 | T3 | P4 | T4 |
N,P型三极管 (P_BCE) |
B | B测试端 |
C | C测试端 |
E | E测试端 |
空 |
空 |
N,P型三极管 (P_EBC) |
E |
E测试端 |
B |
B测试端 |
C |
C测试端 |
空 |
空 |
N,P型MOS管 (P_GDS) |
G |
G测试端 |
D | D 测 试 端 |
S |
S测试端 |
空 |
空 |
N,P型MOS管 (P_DGS) |
D | D测试端 |
G | G测试端 |
S | S测试端 | 空 | 空 |
结型场管 (P_DSG) |
D |
D测试端 |
S |
S测试端 |
G |
G测试端 |
空 |
空 |
结型场管 (P_DGS) |
D |
D测试端 |
G |
G测试端 |
S |
S测试端 |
空 |
空 |
结型场管 (P_GDS) |
G |
G测试端 |
D |
D测试端 |
S |
S测试端 |
空 |
空 |
三端稳压 (P_IGO) |
Vi |
I测试端 |
Gnd |
Gnd测试端 |
Vo | V o 测 试 端 |
空 |
空 |
三端稳压 (P_GOI) |
Gn d |
Gnd测试端 |
Vo |
Vo测试端 |
Vi |
Vi测试端 |
空 |
空 |
基准TL431 (P_RAK) |
Ref |
Ref测试端 |
Anode |
Anode测试端 |
Cat | C a t 测 试 端 |
空 |
空 |
三端肖特基 (P_AKA) |
A1 |
A1测试端 |
K |
K测试端 |
A2 | A2测试端 |
空 |
空 |
整流二极管 (P_AK) |
A |
A测试端 |
K |
测试端 |
空 |
空 |
空 |
空 |
